Samsung dezvaluie memorii flash de clasa 20nm 32Gb NAND

de: Luminița Nițoiu
19 04. 2010

Samsung Electronics anunta producerea primelor carduri de memorie flash bazate pe tehnologie 32GB NAND de 20 nanometri. Clasa MLC NAND de 20nm are un nivel al productivitatii cu 50% mai mare decat clasa MLC NAND de 30nm, sustine compania, iar viteza de scriere este sporita cu 30%.

”Noua clasa NAND de 20nm nu reprezinta un avans semnificativ in materie de design al procesului, dar am incorporat tehnologii avansate pentru a atinge un nivel substantial de performanta”, spune Soo-In Cho, presedint al diviziei de Memorie din cadrul Samsung Electronics.

Introducerea MLC NAND 32GB va extinde solutiile de memory card ale companiei pentru smartphone-uri, aplicatii IT high-end si carduri de memorie de inalta performanta.

Cardurile bazate pe clasa 20nm vor fi disponibile in variante de la 4GB la 64GB.